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IEC 60747-9:2019
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)- 발행일 : 2019-11-13
- 발행기관 : IEC
상세정보
| 분야 | TC 47/SC 47E : Discrete semiconductor devices |
|---|---|
| 적용범위 | IEC 60747-9:2019 specifies product specific standards for terminology, letter symbols, essential ratings and characteristics, verification of ratings and methods of measurement for insulated-gate bipolar transistors (IGBTs). This third edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition:
|
| 국제분류(ICS)코드 |
31.080.01 : 반도체 장치 일반
31.080.30 : 트랜지스터 |
| 페이지수 | 160 |
| Edition | 3.0 |
이력정보
| No. | 표준번호 | 표준명 | 발행일 | 상태 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | IEC 60747-9:2019상세보기 | Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) | 2019-11-13 | 표준 |
| 2 | IEC 60747-9:2007상세보기 | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) | 2007-09-26 | 구판 |
| 3 | IEC 60747-9:1998+AMD1:2001 CSV상세보기 | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) | 2001-11-20 | 구판 |
| 4 | IEC 60747-9:1998/AMD1:2001상세보기 | Amendment 1 - Semiconductor devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) | 2001-08-20 | 구판 |
| 5 | IEC 60747-9:1998상세보기 | Semiconductor devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) | 1998-08-28 | 구판 |
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