해외표준 상세정보
관심표준 등록 : 표준업데이트 시 알림서비스
제공형태 더보기-
폐지
판매
ASTM F528-99(2005)
Standard Test Method of Measurement of Common-Emitter D-C Current Gain of Junction Transistors (Withdrawn 2011)- 발행일 : 1999-12-10
- 발행기관 : ASTM
상세정보
분야 | 10.04 : 전자 |
---|---|
적용범위 | 1.1 This test method covers the measurement of common-emitter d-c current gain (forward, hFE, or inverted, hFEI) of bipolar transistors, for which the collector-emitter leakage current, ICEO, is less than 10% of the collector current, IC, at which the measurement is to be made, and for which the shunt leakage current in the base circuit is less than 10% of the base current required. 1.2 This test method is suitable for measurement of common-emitter d-c current gain at a single given value of test transistor collector current or over a given range of collector currents (for example, over the range of the transistor to be tested). 1.2.1 The nominal ranges of collector current over which the three test circuits are intended to be used are as follows: 1.2.1.1 Circuit 1, less than 100 [mu]A, 1.2.1.2 Circuit 2, from 100 [mu]A to 100 mA, and 1.2.1.3 Circuit 3, greater than 100 mA. 1.3 This test method incorporates tests to determine if the power dissipated in the transistor is low enough that the temperature of the junction is approximately the same as the ambient temperature. 1.4 The values stated in International System of Units (SI) are to be regarded as standard. No other units of measurement are included in this standard. 1.5 This standard does not purport to address the safety problems, if any, associated with its use. It is the responsibility of whoever uses this standard to consult and establish appropriate safety and health practices and determine the applicability of regulatory limitations prior to use. |
국제분류(ICS)코드 | |
페이지수 | 7 |
Edition | 99(2005) |
이력정보
No. | 표준번호 | 표준명 | 발행일 | 상태 |
---|---|---|---|---|
1 | ASTM F528-99(2005)상세보기 | Standard Test Method of Measurement of Common-Emitter D-C Current Gain of Junction Transistors (Withdrawn 2011) | 1999-12-10 | 폐지 |
2 | ASTM F528-99상세보기 | Standard Test Method of Measurement of Common-Emitter D-C Current Gain of Junction Transistors | 1999-12-10 | 구판 |
관련상품
- 관련상품이 존재하지 않습니다.
다른 사람이 함께 구입한 상품
- IEC 60747-9:2019 - Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
- IEEE 218-1956 - IEEE Standard Methods of Testing Transistors
- ASTM F769-00 - Standard Test Method for Measuring Transistor and Diode Leakage Currents (Withdrawn 2006)
- ASTM F570 : 1990 Edition - TRANSISTOR COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE (Not Active)
- STM F570, 1990 Edition - TRANSISTOR COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
추천 상품
- IEC TS 63134:2020 - Active assisted living (AAL) use cases
- IEC 60034-5:2020 RLV - Rotating electrical machines - Part 5: Degrees of protection provided by the integral design of rotating electrical machines (IP code) - Classification
- KS B ISO TS 25740-1 - 에스컬레이터 및 무빙워크에 대한 안전요건 — 제1부: 세계공통 필수 안전요건(GESRs)
- KS B ISO TS 8100-21 - 승객 및 화물 운송용 엘리베이터 —제21부: 세계공통 필수안전요건(GESRs)을 충족하는 세계공통 안전 파라미터(GSPs)
- KS C IEC TS 62872 - 산업 시설과 스마트 그리드 사이의 산업 공정 측정, 제어 및 자동화 시스템 인터페이스
제공형태 닫기
PDF :
직접 파일 다운로드 및 인쇄(마이페이지 확인)보안PDF :
직접 파일 다운로드 및 인쇄(마이페이지 확인)* 단, 파일이동 및 복사 불가, 1회 다운로드 및 인쇄가능PRINT :
인쇄본 우편발송, 2~3일 소요(PDF파일 미제공)BOOK :
인쇄본 우편발송, 2~3일 소요(PDF파일 미제공)ZIP :
압축파일형태로 제공 (PDF, HTML, TXT, XLS 등으로 구성), 직접 파일 다운로드(마이페이지 확인)CD/DVD :
직접 파일 다운로드 및 인쇄(마이페이지 확인)DB :
별도 정보 제공HARDCOPY :
해외 배송 상품, 최대 3주 소요바인더 :
바인더 우편발송, 2~3일 소요온라인구독 :
WEB 접속 후 실시간 열람, 출력(1년간)