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IEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life- 발행일 : 2011-03-30
- 발행기관 : IEC
상세정보
| 분야 | TC 47 : Semiconductor devices |
|---|---|
| 적용범위 | IEC 60749-23:2004+A1:2011 is used to determine the effects of bias conditions and temperature on solid state devices over time. It simulates the device operating condition in an accelerated way, and is primarily used for device qualification and reliability monitoring. A form of high temperature bias life using a short duration, popularly known as "burn-in", may be used to screen for infant mortality related failures. The detailed use and application of burn-in is outside the scope of this standard. This consolidated version consists of the first edition (2004) and its amendment 1 (2011). Therefore, no need to order amendment in addition to this publication. |
| 국제분류(ICS)코드 | 31.080.01 : 반도체 장치 일반 |
| 페이지수 | 18 |
| Edition | 1.1 |
이력정보
| No. | 표준번호 | 표준명 | 발행일 | 상태 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | IEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV상세보기 | Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life | 2011-03-30 | 표준 |
| 2 | IEC 60749-23:2004/AMD1:2011상세보기 | Amendment 1 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life | 2011-01-27 | 표준 |
| 3 | IEC 60749-23:2004상세보기 | Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life | 2004-02-23 | 표준 |
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