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IEC 60747-8:2010
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors- 발행일 : 2010-12-15
- 발행기관 : IEC
상세정보
| 분야 | TC 47/SC 47E : Discrete semiconductor devices |
|---|---|
| 적용범위 | IEC 60747-8:2010 gives standards for the following categories of field-effect transistors: - type A: junction-gate type; - type B: insulated-gate depletion (normally on) type; - type C: insulated-gate enhancement (normally off) type. The main changes with respect to the previous edition are listed below. a) "Clause 3 Classification" was moved and added to Clause 1. b) "Clause 4 Terminology and letter symbols" was divided into "Clause 3 Terms and definitions" and "Clause 4 Letter symbols" was amended with additions and deletions. c) Clause 5, 6 and 7 were amended with necessary additions and deletions. This publication is to be read in conjunction with IEC 60747-1:2006. |
| 국제분류(ICS)코드 | 31.080.30 : 트랜지스터 |
| 페이지수 | 155 |
| Edition | 3.0 |
이력정보
| No. | 표준번호 | 표준명 | 발행일 | 상태 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | IEC 60747-8:2010/AMD1:2021상세보기 | Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors | 2021-06-25 | 표준 |
| 2 | IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV상세보기 | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors | 2021-06-25 | 표준 |
| 3 | IEC 60747-8:2010상세보기 | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors | 2010-12-15 | 표준 |
| 4 | IEC 60747-8:2000상세보기 | S emiconductor devices - Part 8: Field-effect transistors | 2000-12-21 | 구판 |
| 5 | IEC 60747-8:1984/AMD2:1993상세보기 | Amendment 2 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors | 1993-12-17 | 구판 |
| 6 | IEC 60747-8:1984/AMD1:1991상세보기 | Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors | 1991-07-18 | 구판 |
| 7 | IEC 60747-8:1984상세보기 | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors | 1984-11-30 | 구판 |
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